: 损耗低见面课：认识和分析开关电源电路1、对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是A:IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO B:GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 C:GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大 D:电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂